英特尔:Intel 4 工艺比起 Intel 7 更注重“能效”,量产没问题
Intel 4 是英特尔工艺中首次应用极紫外光(EUV)的工艺。根据 IC Knowledge 提供的逆向工程数据,Intel 4 工艺的性能优于台积电 5nm,接近 3nm 工艺,但 William 坚持“很难将 Intel 4 与其他代工厂的现有节点进行比较,所以只是参考外部基准测试执行了自己的 PPA”。
“通过 EUV,我们可以控制工艺复杂性”,“我们成功收获得了比预期更高的产量”,他说道。
William Grimm 介绍称,Intel 4 节点是一个特别注重能源效率的工艺。“如果说 Intel 7 工艺是专注于性能最大化的工艺,那么 Intel 4 则专注于提高能效”,“它更适合笔记本电脑等应用”。
它还表示,“(EUV 产能)已经有足够的保障来满足市场需求”,并且“未来几年的计划,比如 Intel 3 已经确定了”。
IT之家附英特尔路线图(部分已延期):
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与基于 FinFET 晶体管优化的英特尔 10 纳米 SuperFin 相比,英特尔 7 可实现每瓦 10% 到 15% 的性能提升。英特尔 7 将在 2021 年面向客户端的 Alder Lake 和数据中心的 Sapphire Rapids 等产品中出现,预计将于 2022 年第一季度投产。
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英特尔 4完全采用 EUV 光刻技术,使用超短波长光打印超小巧的功能。随着性能功耗比提高约 20%,加上区域改进,英特尔 4 将在 2022 年下半年开始生产,用于 2023 年发货的产品,包括客户 Meteor Lake 和数据中心 Granite Rapids。
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英特尔 3进一步利用 FinFET 优化和增强的 EUV,相比英特尔 4,性能比增加了 18%/瓦,还提供了额外的区域改进。英特尔 3 将于 2023 年下半年开始生产产品。
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英特尔 20A采用两种突破性技术 (RibbonFET 和 PowerVia)引领了 angstrom 时代。自 2011 年率先开创 FinFET 以来,英特尔实施门全面晶体管,将成为该公司首个全新晶体管架构。该技术实现了更快的晶体管切换速度,同时在较小的占用空间中实现了与多翼相同的驱动器电流。PowerVia 是英特尔在行业内率先实施后端供电,通过消除晶片前端电源布线需求,优化了信号传输。预计 2024 年英特尔 20A 将有所提升。该公司还对有机会使用其英特尔 20A 工艺技术与 Qualcomm 进行合作感到兴奋。
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2025 年及以后:除了英特尔 20A 之外,英特尔 18A 也在 2025 年初开始开发,包括为带状 FET 提供的优化,这将实现晶体管性能的又一重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代 High NA EUV,并希望获得业界首个生产工具。英特尔与 ASML 紧密合作,以确保实现超越最新一代 EUV 的行业突破。
借助英特尔的新 IDM 2.0 战略,封装在意识到摩尔法律的优势方面变得越来越重要。英特尔宣布,AWS 将是第一个使用 IFS 封装解决方案的客户,同时也提供了有关公司业界领先的高级封装路线图的以下见解:
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EMIB继续成为行业领先者,成为首款 2.5D 嵌入式桥接解决方案,产品自 2017 年发货。Sapphire Rapids 将是第一款使用 EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)批量运送的英特尔 ® 至强 ® 数据中心产品。它将成为行业内第一个双斜视图大小的设备,其性能几乎与单片设计相同。除了 Sapphire Rapids,下一代 EMIB 将从 55 微米碰撞间距迁移至 45 微米。
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Foveros利用晶片级封装功能,提供了首创性的 3D 堆栈解决方案。Meteor Lake 将是客户端产品中第二代实施 Foveros,具有 36 微米碰撞间、块横跨多个技术节点以及 5 至 125W 的散热设计功率范围。
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Foveros Omni为芯片到芯片互连和模块化设计提供了性能 3D 堆栈技术,提供了无限的灵活性,引领了新一代 Foveros 技术。Foveros Omni 允许芯片分离,在混合晶片节点上将多个顶芯片块和多个基块混合在一起,预计于 2023 年实现批量制造。
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Foveros Direct转向将铜质绑定为铜质绑定,以进行低耐用性互连,并模糊晶片末端和封装开始地点之间的边界。Foveros Direct 实现了 10 微米以下的碰撞间距,提高了 3D 堆栈的互连密度,为功能芯片分区开创了过去无法实现的新概念。Foveros Direct 是 Foveros Omni 的补充,预计也在 2023 年就绪。
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